--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
VBsemi的147N03L-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術,具有30V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的柵極-源極電壓(VGS)。該器件的漏極-源極導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為18mΩ,VGS=10V時為12mΩ,具有50A的漏極電流(ID)和1.7V的閾值電壓(Vth)。
### 參數說明
- **型號**: 147N03L-VB
- **封裝**: TO263
- **結構**: 單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS(柵極-源極電壓)**: 20V(±)
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON)(漏極-源極導通電阻)**:
- VGS=4.5V時:18mΩ
- VGS=10V時:12mΩ
- **ID(漏極電流)**: 50A
- **技術**: Trench
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### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**: 由于147N03L-VB具有較低的漏極-源極導通電阻和適中的漏極電流容量,適用于一些低功率的電源管理系統中的功率開關和控制電路。
2. **LED照明**: 在LED照明系統中,MOSFET通常用作開關元件。147N03L-VB可用于LED照明驅動器和控制器,提供穩定的電流和照明控制。
3. **電池管理**: 在一些需要電池管理的應用中,該器件可用于充放電控制和電池保護電路,確保電池的安全和穩定性。
4. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,MOSFET通常用于各種控制電路和功率開關。147N03L-VB可用于汽車電子系統中的功率開關和控制電路。
以上領域和模塊僅為示例,實際應用取決于具體設計要求和環境。
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