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TTElectronics/Semelab D1020UK 高性能硅DMOS射頻場效應管(RFFET)

型號: D1020UK
品牌: TT Electronics(TT)

--- 產品參數 ---

  • 最大工作電流 25mA
  • 最大功率 389W
  • 增益 最小增益為10dB
  • 工作頻率 1MHz到500MHz
  • 最大工作電壓 70V

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

描述

D1020UK是由Semelab plc生產的一款高性能金層化多用途硅DMOS射頻場效應管(RF FET),專為150W輸出功率、28V供電電壓、400MHz頻率范圍內的推挽應用設計。這款產品具備優異的射頻性能,適用于需要高功率和高效率的通信系統。

 

特性

  • 超低Crss(反向傳輸電容):有助于減少寄生效應,提高放大器的穩定性和性能。
  • 簡化的放大器設計:便于設計人員快速實現高性能射頻放大器。
  • 寬帶應用適用:適合寬帶應用,覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
  • 簡單的偏置電路:簡化了設備的偏置設計,降低了設計復雜度。
  • 低噪聲:低噪聲特性使其在接收機和低噪聲放大器應用中表現優異。
  • 高增益:最小增益為10dB,確保了信號的有效放大。

 

應用

  • HF/VHF/UHF通信:適用于1MHz至500MHz的通信系統,包括無線電廣播、無線通信和衛星通信。
  • 金屬柵射頻硅場效應管(TetraFET):采用先進的金屬柵技術,提供卓越的射頻性能。

 

電氣特性

  • 最大耗散功率:389W
  • 漏源擊穿電壓:70V,±20V
  • 漏極電流:最大25A
  • 存儲溫度:-65°C至150°C
  • 最大工作結溫:200°C

 

機械數據

  • 封裝:提供詳細的機械尺寸和公差,以確保與現有系統的兼容性。

 

熱數據

  • 結殼熱阻:最大0.45°C/W,確保有效的熱管理。

 

危險物質警告

  • 鈹氧化物:設備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物,其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過程中需小心,避免損壞此區域。

 

環保合規

  • RoHS合規:產品符合歐盟限制有害物質使用的指令。

 

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