--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 3N10L12-VB TO263 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
3N10L12-VB 是一款高性能的單 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,專為各種電子應(yīng)用中的高效能管理而設(shè)計(jì)。采用 TO-263 封裝,該 MOSFET 具有卓越的熱性能和可靠性,適用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。具有 100V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵極-源極電壓(VGS),在不同工作條件下提供穩(wěn)健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓(Vth)為 2.5V,確保在低電壓電路中易于使用。3N10L12-VB 采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)能效并減少熱量產(chǎn)生。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO-263
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:100V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:2.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
- 23mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:100A
- **技術(shù)**:溝道
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/FC/wKgaomaDp8WAYotJAAMEkc6E0eo802.png)
### 應(yīng)用示例
1. **電源模塊**:3N10L12-VB MOSFET 非常適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻和高電流容量可實(shí)現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換,最小化能量損失和熱量散發(fā)。
2. **電機(jī)控制電路**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可以處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電流。其穩(wěn)健的性能和熱管理能力使其成為工業(yè)和汽車(chē)電機(jī)控制系統(tǒng)的理想選擇。
3. **電池管理系統(tǒng)**:MOSFET 的低柵極閾值電壓和高電流處理能力使其成為電池保護(hù)和管理電路的優(yōu)秀選擇。在便攜式電子設(shè)備和電動(dòng)車(chē)輛中,確保電池的效率和安全至關(guān)重要。
4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:3N10L12-VB 可以作為各種電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。其低導(dǎo)通電阻確保在開(kāi)關(guān)高電流負(fù)載時(shí)電壓下降和功率損失最小化,適用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和通信設(shè)備。
5. **可再生能源系統(tǒng)**:在太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以處理太陽(yáng)能電池板或風(fēng)力渦輪機(jī)產(chǎn)生的高電流。其溝道技術(shù)提高了能效,使其成為可持續(xù)能源應(yīng)用中可靠的組件。
通過(guò)在這些應(yīng)用中使用 3N10L12-VB MOSFET,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的性能、能效和可靠性,確保其電子系統(tǒng)的最佳運(yùn)行。
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