--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:** 3N65L-TF1-T-VB
**封裝:** TO220F
**配置:** 單一N溝道MOSFET
**主要參數:**
- 漏源電壓 (VDS):650V
- 柵源電壓 (VGS):±30V
- 閾值電壓 (Vth):3.5V
- 導通電阻 (RDS(ON)):2560mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):4A
- 技術:Plannar(平面型)
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### 詳細參數說明
| 參數名稱 | 參數值 |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 4A |
| 功率耗散 (Ptot) | 40W |
| 輸入電容 (Ciss) | 670pF |
| 輸出電容 (Coss) | 70pF |
| 反向傳輸電容 (Crss) | 18pF |
| 開啟時間 (ton) | 20ns |
| 關斷時間 (toff) | 100ns |
| 工作溫度范圍 (Tj) | -55°C ~ 175°C |
| 封裝類型 | TO220F |
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**:3N65L-TF1-T-VB適用于各種電源管理應用,特別是需要高電壓和低功率的應用,如電源適配器、LED照明驅動器和太陽能逆變器等。
2. **工業控制**:在工業控制系統中,這款MOSFET可用于電機驅動器、變頻器和工業電源等模塊,提供高效的電能轉換和穩定的電源管理。
3. **電動汽車**:在電動汽車的電動機驅動系統中,這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統等模塊,確保系統的高效運行和安全性。
4. **醫療設備**:在醫療設備中,這款MOSFET可用于高壓電源模塊、醫療圖像設備和醫療監測設備等,具有高可靠性和耐高壓特性。
5. **航空航天**:在航空航天領域,這款MOSFET可以應用于飛機電源系統、衛星通信設備和航天器電子設備等,具有耐高壓和耐高溫的特性。
通過這些應用領域和模塊的具體例子,可以看出3N65L-TF1-T-VB TO220F MOSFET因其優秀的電氣性能和可靠性在多個高壓應用中得到了廣泛應用。
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