--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、3N80L-TA3-T-VB 產品簡介
3N80L-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該產品具有850V的漏源極電壓(VDS),30V的柵源極電壓(VGS),3.5V的閾值電壓(Vth),以及4A的漏極電流(ID)。3N80L-TA3-T-VB采用平面技術,提供可靠的性能和穩定性。
### 二、3N80L-TA3-T-VB 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|--------------------|------------------------|
| 封裝 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源極電壓 (VDS) | 850V |
| 柵源極電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2700mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 4A |
| 技術 | 平面技術 (Plannar) |
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### 三、3N80L-TA3-T-VB 應用領域和模塊示例
1. **電力系統**:
由于3N80L-TA3-T-VB具有較高的漏源極電壓和穩定的性能,因此非常適用于電力系統中的開關和控制器件。它可以在高壓電力傳輸和配電系統中發揮重要作用。
2. **工業電子**:
在工業控制和自動化領域,需要可靠的開關器件來實現設備的精確控制和高效運行。3N80L-TA3-T-VB的高性能特性使其成為工業電子設備中的理想選擇。
3. **電動汽車充電樁**:
電動汽車充電樁需要高性能的開關器件來實現電能的轉換和管理。3N80L-TA3-T-VB可以幫助提高充電樁的效率和充電速度,同時保持系統穩定性。
4. **太陽能逆變器**:
在太陽能電池系統中,逆變器起著關鍵作用,將直流電轉換為交流電。3N80L-TA3-T-VB適用于太陽能逆變器的設計,有助于提高太陽能系統的能量轉換效率。
綜上所述,3N80L-TA3-T-VB MOSFET在多個領域中具有廣泛的應用前景,特別適用于需要高性能開關器件的應用。其穩定性和可靠性使其成為各種高性能電子設備的理想選擇。
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