--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**40T10GI-VB MOSFET**
The 40T10GI-VB is a high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Encapsulated in a TO220F package, this model features advanced Trench technology, providing low on-resistance and high current-handling capabilities. With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of 50A, the 40T10GI-VB is ideal for applications requiring high power and reliability.
### 二、詳細的參數說明
- **Package**: TO220F
- **Configuration**: Single N-Channel
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 100V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Threshold Voltage (Vth)**: 1.8V
- **On-Resistance (RDS(ON))**: 34mΩ @ VGS = 10V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 50A
- **Technology**: Trench
### 三、適用領域和模塊舉例
**領域**
1. **電源逆變器**: 40T10GI-VB 可用于太陽能逆變器和電力調節器中的功率開關,實現高效的能量轉換和穩定的輸出。
2. **工業電源**: 在工業設備和電源系統中,該器件可用于開關電源單元,確保高效的能量轉換和穩定的輸出。
3. **電動車輛**: 在電動汽車和電動自行車等車輛中,該器件可用于電池管理和功率控制。
**模塊**
1. **電源逆變器模塊**: 在太陽能逆變器和電力調節器中,提供高效的能量轉換和電力控制。
2. **工業控制模塊**: 在工業自動化和控制系統中,可用于各種開關和控制模塊,確保系統的穩定性和可靠性。
3. **電動汽車驅動模塊**: 作為電動汽車驅動器中的主要功率開關器件,實現高效的電力傳輸和控制。
通過其高功率和可靠性,以及卓越的功率控制特性,40T10GI-VB 適用于各種高功率、高效率的應用,是現代電子系統中的理想選擇。
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