--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、4226AGM-VB 產品簡介
4226AGM-VB是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該產品具有30V的漏源極電壓(VDS),20V的柵源極電壓(VGS),1.7V的閾值電壓(Vth),以及8.5A的漏極電流(ID)。4226AGM-VB采用溝槽技術,提供高性能和可靠性。
### 二、4226AGM-VB 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | 雙N+N溝道 |
| 漏源極電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 20mΩ @ VGS=4.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 16mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 8.5A |
| 技術 | 溝槽技術 (Trench) |
### 三、4226AGM-VB 應用領域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:
由于4226AGM-VB具有雙N+N溝道結構,可用于需要高效能耗和可靠性的電源管理模塊,如服務器電源、工業電源等。
2. **電動車輛**:
在電動車輛的電源管理系統中,4226AGM-VB可用于電池管理和驅動控制,幫助實現高效能耗和高性能。
3. **工業控制系統**:
4226AGM-VB可用于工業控制系統中的開關和控制器件,提供精確的控制和高效運行。
4. **電源轉換器**:
4226AGM-VB適用于各種類型的電源轉換器,如DC-DC轉換器和AC-DC轉換器,有助于提高轉換效率和降低熱耗。
綜上所述,4226AGM-VB MOSFET具有廣泛的應用前景,在多個領域中都能發揮重要作用,特別適用于需要高性能開關器件的應用。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N