### 一、430APBF-VB TO252 產品簡介

430APBF-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。具有 650V 的漏極-源極電壓（VDS），并具有 ±30V 的柵極-源極電壓（VGS）耐受能力。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有較高的漏極-源極電壓和中等導通電阻，適用于需要中等功率和高電壓的應用場合。

### 二、430APBF-VB TO252 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **管腳配置**：單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1000mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 三、430APBF-VB 適用領域和模塊示例

1. **電源轉換器**
  - **領域**：電源電子
  - **應用**：適用于設計高效的電源轉換器，將電能從一種形式轉換為另一種形式，如開關電源和逆變器。

2. **照明驅動器**
  - **領域**：照明
  - **應用**：用于設計 LED 照明驅動器，控制 LED 燈的亮度和穩定性，提高照明效果。

3. **太陽能逆變器**
  - **領域**：可再生能源
  - **應用**：適用于太陽能電池板轉換太陽能光能為電能的逆變器，提供給家庭或工業用途。

4. **電動汽車充電樁**
  - **領域**：電動汽車
  - **應用**：用于電動汽車充電樁中，控制充電電流和電壓，保障電動汽車安全、高效充電。