--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**4500M-VB SOP8** 是一款雙N溝道和P溝道MOSFET組合器件,采用先進的溝槽技術制造。該器件具有雙極性特性,適用于需要控制正負電壓的應用。其SOP8封裝適用于小型電路板和低功率應用場合。
### 二、詳細參數說明
- **型號:** 4500M-VB SOP8
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 雙N溝道和P溝道
- **漏源電壓 (VDS):** ±30V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.6V (N溝道) / -1.7V (P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- N溝道:24mΩ @ VGS=4.5V, 18mΩ @ VGS=10V
- P溝道:50mΩ @ VGS=4.5V, 40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** ±8A
- **技術:** 溝槽型
### 三、應用領域及模塊示例
**4500M-VB SOP8** 可以廣泛應用于以下領域和模塊:
1. **電源模塊:**
- **雙極性電源控制:** 用于需要同時控制正負電壓的電源系統。
2. **信號放大器:**
- **雙極性信號放大:** 用于處理正負信號的放大器和驅動器。
3. **電路保護:**
- **雙極性電路保護:** 用于保護電路免受過電壓和過電流的損壞。
4. **混合信號電路:**
- **雙極性混合信號處理:** 用于需要同時處理正負信號的混合信號電路。
通過以上示例,可以看出 **4500M-VB SOP8** 在需要控制正負電壓的應用場合具有廣泛的應用前景。其雙極性特性使其成為處理正負信號的理想選擇。
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