### 產品簡介

**型號：** 4501GD-VB  
**封裝：** DIP8  
**配置：** 雙N+P溝道MOSFET  
**主要參數：**
- 漏源電壓 (VDS)：±30V
- 柵源電壓 (VGS)：±20V
- 閾值電壓 (Vth)：±1V
- 導通電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=4.5V，25mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：7.2A（N溝道），-5A（P溝道）
- 技術：Trench（溝槽型）

### 詳細參數說明

| 參數名稱            | 參數值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | ±30V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | ±1V                |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 30mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 25mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 7.2A (N溝道)       |
|                   | -5A (P溝道)        |
| 功率耗散 (Ptot)      | 2W                 |
| 輸入電容 (Ciss)      | 5500pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 1200pF             |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 900pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 15ns               |
| 關斷時間 (toff)      | 50ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 150°C      |
| 封裝類型            | DIP8               |

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**：4501GD-VB適用于低壓電源管理系統，如便攜式電子設備、充電器和電池保護模塊等，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。

2. **驅動器**：在電機驅動器中，這款MOSFET可用于電機控制和功率開關模塊，提供高效的功率轉換和精確的電機控制。

3. **逆變器**：在逆變器和變頻器中，這款MOSFET可以用于功率開關和電源調節器等模塊，確保系統的高效率和可靠性。

4. **汽車電子**：在汽車電子領域，這款MOSFET可用于汽車電源管理系統、照明控制和電動車輛的電機驅動系統等，提供高效的功率轉換和安全性。

5. **DC-DC轉換器**：適用于DC-DC轉換器的電源管理模塊，確保系統的高效率和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的具體例子，可以看出4501GD-VB DIP8 MOSFET因其雙通道設計和高功率的特性在多個領域中得到了廣泛應用。