--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
4502GM-VB是一款雙通道N+P-溝道MOSFET,采用先進的Trench技術,封裝形式為SOP8。該型號具有高效的開關性能和低導通電阻,適用于多種電源管理和負載開關應用。
### 詳細參數說明
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙通道N+P-溝道
- **漏源極電壓(VDS)**: ±20V
- **柵源極電壓(VGS)**: 12V(±V)
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.0V / -1.2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 10mΩ / 20mΩ @ VGS = 2.5V
- 6mΩ / 16mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流(ID)**: 15A / -8.5A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
4502GM-VB雙通道MOSFET廣泛應用于各種電源管理和負載開關模塊,以下是具體的一些應用示例:
1. **電源管理模塊**: 該MOSFET可用于DC-DC轉換器中,提供高效的電流開關能力,幫助實現穩壓和降壓功能。同時,它的低導通電阻特性在高電流應用中有助于降低功耗和熱量生成。
2. **負載開關**: 4502GM-VB非常適用于電池管理系統中的負載開關,能高效地控制電池的充放電過程。其雙通道配置允許同時控制正負負載,為系統設計提供了靈活性。
3. **電機驅動器**: 在電機驅動應用中,該MOSFET可以用來驅動小型直流電機,提供可靠的電流控制。其高電流容量和低RDS(ON)確保了高效的電機運行和低功率損耗。
4. **消費電子**: 4502GM-VB適用于各種消費電子產品,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦中的電源管理電路。其緊湊的SOP8封裝節省了電路板空間,同時提供了出色的電流控制和熱管理性能。
通過這些應用,4502GM-VB在需要高效電流控制和低功率損耗的領域中展現出了其優越的性能和可靠性。
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