--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252-4L
- 溝道 Common Drain-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 4506GEH-VB MOSFET產品簡介
4506GEH-VB是一款雙極性MOSFET,由VBsemi公司制造,采用Trench技術,封裝為TO252-4L。它具有共源配置,適合需要高電壓和高電流處理能力的應用場合,如電源管理和電機控制。
### 4506GEH-VB MOSFET詳細參數說明
- **封裝形式**:TO252-4L
- **配置**:共源N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±60V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V(N溝道)/-1.7V(P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V:33mΩ(N溝道)/ 60mΩ(P溝道)
- VGS = 10V:30mΩ(N溝道)/ 50mΩ(P溝道)
- **漏極電流 (ID)**:35A(N溝道)/-19A(P溝道)
- **技術**:Trench
### 4506GEH-VB MOSFET應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
- **開關電源**:4506GEH-VB適用于高效的開關電源設計,能夠處理較高的輸入電壓和輸出電流,用于工業設備和電力電子系統的電源轉換。
- **UPS系統**:在不間斷電源(UPS)系統中,這款MOSFET可以作為關鍵的開關元件,確保電池供電系統的高效能和可靠性。
2. **電機驅動**:
- **電動工具**:在電動工具和汽車電子中,4506GEH-VB可以用作電機驅動器的開關元件,提供高效的電流控制和驅動能力。
- **電動車輛**:在電動汽車和混合動力汽車中,這款MOSFET可以用于電池管理系統和電動馬達的控制單元。
3. **工業控制**:
- **PLC系統**:用于可編程邏輯控制器(PLC)系統中的電流開關和功率管理單元,保證工業自動化過程中的穩定性和效率。
4. **通信設備**:
- **基站設備**:在通信基站的射頻功率放大器和功率管理模塊中,這款MOSFET能夠提供高效的信號處理和功率調節。
5. **消費電子**:
- **LED驅動器**:在LED照明系統中,4506GEH-VB可以作為LED驅動器的關鍵部件,管理LED的功率和亮度控制。
4506GEH-VB因其高壓、高電流能力以及優秀的導通特性,在多個領域中都有廣泛的應用,是設計工程師在需求高電源效率和可靠性的應用中的理想選擇。
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