### 產品簡介
47N65C3-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，封裝形式為TO247。它具有高漏極電壓容忍能力和低導通電阻，適用于高壓、高電流的功率開關和電源應用。
### 詳細參數說明
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵源極電壓（VGS）**: 30V（±V）
- **柵極閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 75mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 47A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
47N65C3-VB適用于多種需要高電壓和高電流控制的應用場景，以下是具體的一些應用示例：
1. **電源供應**: 在電源開關單元、逆變器和DC-DC轉換器中，47N65C3-VB可以用于提供穩定的功率轉換和高效能的電流控制。其高漏極電壓容忍能力和低導通電阻確保了在高壓環境下的穩定性和能效。
2. **工業高壓設備**: 在工業自動化系統中，如高壓電機驅動和電動車輛充電器，該MOSFET可以承受高電壓和高電流的要求，同時保持穩定的性能。其能夠在工業環境中提供可靠的功率管理和控制。
3. **太陽能逆變器**: 在太陽能發電系統中，47N65C3-VB可用于逆變器的輸出級電路，確保太陽能電池板產生的直流電能有效轉換為交流電能，提高系統的能源利用率和穩定性。
4. **電動汽車充電器**: 在電動汽車充電系統中，特別是快速充電設施，47N65C3-VB可以用于電池充電管理和功率開關控制，幫助實現快速、高效的充電過程。
通過以上應用示例，47N65C3-VB展示了其在高電壓和高電流應用中的優越性能和廣泛適用性，為工業、能源和電動車輛等領域提供了可靠的功率電子解決方案。
