--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Half-Bridge-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 4816GSM-VB MOSFET產品簡介
4816GSM-VB是一款Half-Bridge雙N溝道MOSFET,由VBsemi公司生產,采用SOP8封裝。它設計用于半橋電路,適用于需要高效能力轉換和低導通電阻的應用。
### 4816GSM-VB MOSFET詳細參數說明
- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:Half-Bridge雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V:21.6mΩ
- VGS = 10V:18mΩ
- **漏極電流 (ID)**:6.8A(上溝道),10A(下溝道)
- **技術**:Trench
### 4816GSM-VB MOSFET應用領域和模塊示例
1. **電源轉換**:
- **DC-DC轉換器**:在各類DC-DC電源轉換器中,4816GSM-VB可用于提供高效的電能轉換,適用于移動設備、消費電子和工業自動化。
- **電動工具**:用于電動工具的電機驅動系統,支持高功率輸出和快速響應的動力傳輸。
2. **電動汽車充電器**:
- 在電動汽車充電器的半橋拓撲中,4816GSM-VB可以實現高效能力轉換,支持電動車輛快速充電和高效能力管理。
3. **電源管理**:
- **工業控制系統**:用于工業控制系統中的電源開關和電機控制,提高設備的能效和系統的穩定性。
- **UPS系統**:在不間斷電源系統中,這款MOSFET可用于逆變器電路和備用電源管理,確保設備在停電時的可靠運行。
4. **通信設備**:
- **基站電源單元**:在通信基站的電源管理單元中,4816GSM-VB用于直流電源轉換和電能控制,支持長時間運行和高效能力傳輸。
4816GSM-VB由于其卓越的性能特征和適用于半橋電路的設計,廣泛應用于需要高效能力轉換和電能管理的各種工業和消費電子應用中,為設備提供穩定可靠的電源解決方案。
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