### 產品簡介
48NM60N-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，封裝形式為TO247。它設計用于高壓應用，具有優異的漏源極電壓（VDS）和穩定的性能特性，適用于需要高電壓和高功率的電路設計。
### 詳細參數說明
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵源極電壓（VGS）**: 30V（±V）
- **柵極閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 75mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 47A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
48NM60N-VB適用于多種高壓、高功率應用場合，以下是具體的一些應用示例：
1. **電力電子**: 在電源轉換器、逆變器和交流調節器中，48NM60N-VB可以用作開關元件，實現高效的能量轉換和電力管理。特別是在太陽能逆變器和風力發電控制器中，其高漏極電壓和低導通電阻確保了系統的穩定性和效率。
2. **工業電機驅動**: 在工業電機驅動系統中，特別是需要高速、高效率的電動馬達控制，48NM60N-VB可以用于變頻器和馬達控制單元，提供可靠的功率開關和速度調節功能。
3. **電動車輛充電樁**: 在電動車輛的充電設施中，48NM60N-VB可用于充電樁電源開關單元，支持高功率充電和電能管理，確保快速充電和安全操作。
4. **醫療設備**: 在高性能醫療設備如CT掃描儀和核磁共振成像設備中，需要穩定的電源管理和高效的電能轉換，48NM60N-VB可以用于電源控制和電路保護，確保設備運行的穩定性和安全性。
通過以上示例，可以看出48NM60N-VB在多個領域中的廣泛應用，為各種高壓、高功率電子設備和系統提供了關鍵的功率管理解決方案。
