### 產品簡介
4909NG-VB 是一款單N-通道MOSFET，采用TO252封裝。它具有30V的漏源電壓（VDS），20V的柵源電壓（VGS）（±），以及1.7V的閾值電壓（Vth）。該器件采用Trench技術制造，具有極低的導通電阻和高電流承受能力，在VGS為10V時的導通電阻（RDS(ON)）為5mΩ，在VGS為4.5V時為6mΩ。最大漏電流（ID）為80A，適用于高功率和高效率的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N-通道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：20V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **漏電流（ID）**：80A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊
4909NG-VB MOSFET適用于多種應用領域和模塊，具體包括但不限于：
1. **電源管理**：
- 在高功率的DC-DC轉換器和穩壓器中，用于功率開關和電壓調節，例如服務器電源單元和工業電源系統。
2. **電動工具**：
- 作為電動工具中電機驅動的關鍵元件，支持高效率和高功率輸出，例如電動汽車的電動驅動系統和電池管理系統。
3. **電動車輛**：
- 在電動車輛的電池管理和驅動控制中，用于電動機控制和電池充放電管理，提升車輛的動力性能和能效。
4. **工業自動化**：
- 在工業自動化設備和機器人控制系統中，作為高速開關和驅動器，用于確保設備的精確控制和高效運行。
4909NG-VB 的特性使其在需要高電流處理和低導通電阻的應用中表現突出，能夠有效提升系統的功率密度和整體效率。
