--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 4961GM-VB MOSFET產品簡介
4961GM-VB是一款雙P溝道MOSFET,由VBsemi公司生產,采用SOP8封裝。它具有低導通電阻、高電流承載能力和優秀的開關特性,適用于需要高效能力的功率開關和電源管理應用。
### 4961GM-VB MOSFET詳細參數說明
- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-20V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V:18mΩ
- VGS = 10V:16mΩ
- **漏極電流 (ID)**:-8.9A
- **技術**:Trench
### 4961GM-VB MOSFET應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
- **電源開關**:在低壓DC-DC轉換器和電源開關中,提供高效的功率轉換和電流控制。
- **充電管理**:用于移動設備和便攜式電子產品的電池充電管理,支持快速充電和高效能力的電源管理。
2. **汽車電子**:
- **汽車電源系統**:作為電動汽車和混合動力車輛電池管理系統中的功率開關,支持高功率和高效率的電動驅動。
3. **工業控制**:
- **工業自動化**:在工業自動化設備中的電機控制和電源管理,提高設備的能效和操作精度。
- **UPS系統**:用于不間斷電源系統中的電源開關和逆變器電路,確保設備在電網故障時的穩定運行。
4. **通信設備**:
- **網絡設備**:用作高速網絡設備和通信基礎設施中的功率管理器件,確保數據中心和通信設備的穩定運行和高效能力。
4961GM-VB因其優越的性能特性和廣泛的應用領域,適用于各種需要高功率和高效能力的電子設備設計,能夠提供可靠的功率管理和電流控制解決方案。
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