### 產品簡介

49CN10N-VB是一款單通道N型MOSFET，采用先進的Trench技術設計，封裝為TO252。它具有100V的漏源電壓額定值，適用于中等功率要求的電子應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：20（±V）
- **開啟電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 35mΩ @ VGS=4.5V
 - 30mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**：40A
- **技術**：Trench

### 應用領域及模塊

49CN10N-VB適用于多種電子應用，特別是在需要中等電流和較高電壓的場合：

1. **電源管理模塊**：在電源管理應用中，49CN10N-VB可以用作開關電源和穩壓器的關鍵組件，提供穩定的電能轉換和高效的電壓調節。

2. **電動車輛充電器**：由于其高電壓和中等電流特性，49CN10N-VB適合用于電動車輛充電器的電源開關和功率管理。

3. **工業控制系統**：在工業自動化和控制系統中，49CN10N-VB可以實現高電壓開關和穩定的功率輸出，確保設備的可靠運行和安全操作。

4. **LED驅動器**：在LED照明應用中，49CN10N-VB可以作為LED驅動器的功率開關，支持高功率LED的驅動和調光功能。

49CN10N-VB MOSFET通過其高電壓額定值和適中的導通電阻，在多個領域提供了穩定和可靠的電力解決方案。