--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
49SD8205S-VB 是一款雙N+N-通道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有20V的漏源電壓(VDS),20V的柵源電壓(VGS)(±),以及0.5~1.5V的閾值電壓(Vth)。采用Trench技術制造,具有良好的導通特性和高效能力,適合在低壓下工作,如電池驅動和小型電源管理應用中。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOT23-6
- **配置**:雙N+N-通道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:28mΩ @ VGS=2.5V, 24mΩ @ VGS=4.5V
- **漏電流(ID)**:6A
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊
49SD8205S-VB 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用:
1. **移動設備電源管理**:
- 在手機、平板電腦等移動設備的電池管理系統中,作為電源開關和電池充放電控制器件,提高電池使用時間和效率。
2. **便攜式電子產品**:
- 在便攜式電子產品中,如筆記本電腦、數碼相機和便攜式音頻設備,用作功率開關和電源管理器件,支持高效率和小型化設計。
3. **電動工具**:
- 作為電動工具中電機驅動的關鍵元件,支持高效率和高功率輸出,例如電動剃須刀和電動工具的電源驅動。
4. **車載電子**:
- 在汽車電子系統中,如車輛電子控制單元(ECU)和LED驅動器中,用作高性能電源開關,提升系統的可靠性和能效。
49SD8205S-VB 的低導通電阻和高電流承受能力使其在需要小尺寸和高功率密度的應用中表現出色,能夠有效提升系統的性能和效率。
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