### 一、4N03LH0-VB 產品簡介
4N03LH0-VB是一款雙N溝道MOSFET，采用TO263-7L封裝。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于需要高功率密度和高效率的電子電路設計。采用溝槽（Trench）技術制造，4N03LH0-VB能夠提供可靠的電源管理和功率開關性能。
### 二、4N03LH0-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO263-7L
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=10V: 1mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 200A
- **技術**: 溝槽（Trench）
### 三、應用領域和模塊示例
1. **電動汽車**:
- 4N03LH0-VB適用于電動汽車的電池管理系統和電機控制單元，提供高效的功率開關和電流驅動能力，確保車輛的高性能和長續航能力。
2. **工業電源**:
- 在工業設備的電源模塊中，如變頻器、UPS系統和電源轉換器，4N03LH0-VB可用于高功率密度和高效率的電源管理，提升設備的可靠性和穩定性。
3. **服務器和數據中心**:
- 在服務器和數據中心的電源供應單元中，4N03LH0-VB可以作為電源開關和直流-直流轉換器的關鍵組件，支持高性能計算和數據處理需求。
4. **工業自動化**:
- 在工業自動化系統中，包括機器人控制、自動化生產線和PLC控制系統，4N03LH0-VB用作電機驅動和功率開關，提高生產效率和系統響應速度。
4N03LH0-VB因其出色的導通特性和高電流承載能力，適合于需要高功率、高效率和可靠性的各種電子設備和系統應用。
