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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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4N0401-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 4N0401-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

4N0401-VB是一款單通道N型MOSFET,采用先進的Trench技術設計,封裝為TO220。它具有40V的漏源電壓額定值,適用于高功率要求的電子應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20(±V)
- **開啟電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 15mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:180A
- **技術**:Trench

### 應用領域及模塊

4N0401-VB適用于多種高功率和低導通電阻要求的電子應用,例如:

1. **電源開關**:在高功率電源開關中,4N0401-VB可以提供低導通電阻和高效的功率轉換能力,適合用于工業設備和高性能電源系統。

2. **電動車輛**:作為電動車輛電機驅動器的一部分,4N0401-VB能夠承受高電流并有效地管理電源,支持電動車輛的高效能量轉換和驅動控制。

3. **工業自動化**:在工業控制和自動化系統中,4N0401-VB可用作高功率開關和電源管理器件,確保設備的可靠運行和高效的能量管理。

4. **高性能電源模塊**:在需要高功率密度和高效能轉換的電源模塊中,4N0401-VB可以提供穩定的電壓輸出和優異的能量轉換效率。

4N0401-VB MOSFET通過其高電流承載能力和低導通電阻,適用于多種需要高功率和高效能轉換的電子設備和系統。

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