### 產品簡介
4N04L04-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝，具有高電壓承受能力和低導通電阻，適合于要求高功率和高效能的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO262
- **配置**：單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：20（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- @ VGS=10V：5.7mΩ
- **漏極電流 (ID)**：75A
- **技術**：Trench
### 應用領域及模塊示例
4N04L04-VB 可廣泛應用于以下領域和模塊：
1. **電動車輛和汽車電子**：
- **電動汽車充電樁**：作為充電樁控制電路中的功率開關，用于電池充電和電能管理。
- **車載電源系統**：在電動汽車的電動機驅動和電池管理系統中，用作功率開關和電流控制器，確保高效能的電動汽車性能。
2. **工業電源和電氣設備**：
- **工業電源單元 (PSU)**：用于工業設備和機器的電源轉換和穩定輸出。
- **電力電子設備**：在變頻器和工業控制系統中，用作電源開關和電流控制器，提供高效的電力轉換和管理。
3. **消費電子和通信設備**：
- **服務器和數據中心設備**：作為服務器電源單元和數據中心的電源管理開關，確保設備穩定運行和高效的能源利用率。
- **通信基站**：在移動通信基站和網絡設備中，作為功率開關和電流控制器，提供穩定的電源管理和通信信號處理。
4N04L04-VB 的高電流承載能力和低導通電阻特性，使其特別適合需要高效能和高可靠性的功率管理和開關控制應用。
