--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、4N04L04-VB 產品簡介
4N04L04-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。它具有優秀的導通特性和高電流承載能力,適用于要求高功率密度和高效率的電子電路設計。采用溝槽(Trench)技術制造,4N04L04-VB能夠提供可靠的電源管理和功率開關性能。
### 二、4N04L04-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V: 6mΩ
- @VGS=10V: 5mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: 溝槽(Trench)
### 三、應用領域和模塊示例
1. **電動工具和電動車輛**:
- 4N04L04-VB適用于電動工具和電動車輛的電機驅動系統,作為功率開關器件可以提供高效的電能轉換和電流控制,支持設備的高性能和長期穩定運行。
2. **電源模塊**:
- 在高功率密度的電源模塊中,如電源開關和直流-直流轉換器,4N04L04-VB能夠提供低導通電阻和高效率的功率轉換,適用于工業自動化和通信設備的電源管理。
3. **服務器和數據中心**:
- 在服務器和數據中心的電源供應單元中,4N04L04-VB可以用作功率開關和穩壓器件,確保設備在高負荷運行時的穩定性和可靠性,支持大規模數據處理和存儲設備的運行。
4. **醫療設備**:
- 在需要高效能和可靠性的醫療設備中,如醫用成像設備和手術器械,4N04L04-VB可以提供穩定的電源控制和功率管理功能,確保設備在各種工作條件下的安全運行。
4N04L04-VB因其優異的導通特性、高電流承載能力和穩定性,適用于多種需要高功率密度和高效率的電子設備和系統應用場景。
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