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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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4N04L08-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 4N04L08-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

4N04L08-VB是一款單通道N型MOSFET,采用Trench技術設計,封裝為TO263。它具有40V的漏源電壓額定值,適用于需要中等功率和高效率轉換的電子應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**:TO263
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20(±V)
- **開啟電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:100A
- **技術**:Trench

### 應用領域及模塊

4N04L08-VB適用于多種中等功率電子應用,例如:

1. **電源管理**:在電源管理系統中,特別是需要高效率和穩定性的場合,如電源適配器、電動工具電源模塊等,4N04L08-VB可以作為關鍵的開關器件,提供可靠的電源轉換和管理功能。

2. **電動汽車**:作為電動汽車的驅動電路中的一部分,4N04L08-VB能夠支持高功率輸出和高效率的能量轉換,確保電動汽車的高性能和長續航里程。

3. **工業自動化**:在工業控制系統中,4N04L08-VB可以用作開關和電源管理器件,幫助提升設備的能效和運行穩定性,適用于各種工業自動化應用。

4. **消費電子**:在消費電子產品中,如高性能計算機、游戲設備等,4N04L08-VB的高功率處理能力和低導通電阻可以提升設備的性能和能效,滿足用戶對高性能和低能耗的需求。

通過其穩定的電氣特性和高功率處理能力,4N04L08-VB適用于需要高效率能源轉換和穩定性能輸出的廣泛電子設備和系統。

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