### 產品簡介
**型號：4N62K3-VB TO252**
4N62K3-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝。它適用于中低功率應用，具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻。該器件采用SJ_Multi-EPI技術，結合多重外延工藝，提供了良好的電性能和可靠性。
### 詳細參數說明
- **封裝類型（Package）**：TO252
- **配置（Configuration）**：單N溝道（Single N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：5A
- **技術（Technology）**：SJ_Multi-EPI（多重外延工藝）
### 應用領域和模塊示例
4N62K3-VB功率MOSFET適用于中低功率應用，具體包括但不限于以下領域和模塊：
1. **電源逆變器（Power Inverters）**：
- 在家用電器逆變器或小型太陽能逆變器中，4N62K3-VB用于實現從直流到交流的轉換，提供穩定的電力輸出。
2. **電源管理（Power Management）**：
- **開關電源（SMPS）**：用于中低功率的開關模式電源中，控制功率開關和電能轉換，以實現高效能的能量管理。
3. **LED照明驅動（LED Lighting Drivers）**：
- 在低功率LED照明系統的驅動電路中，4N62K3-VB可用作LED驅動器的關鍵部件，管理LED的功率和電流輸出。
4. **電動工具（Power Tools）**：
- 在小型電動工具中，如電動剪刀或電動鉆，用于電機控制和功率輸出的管理，確保設備的高效運行和可靠性。
5. **電動車充電（Electric Vehicle Charging）**：
- 在低功率電動車充電樁中，用于充電控制和電能管理，確保安全和高效率的電動車充電過程。
通過以上示例，可以看出4N62K3-VB功率MOSFET在中低功率應用中具有廣泛的應用性，其高漏源電壓和適中的導通電阻使其成為多種電子設備中的理想選擇。
