### 4N65H-VB TO251 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4N65H-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO251封裝。該器件具備高達(dá)650V的漏極電壓（VDS）和±30V的柵極電壓（VGS）額定值，閾值電壓（Vth）為3.5V。采用Plannar技術(shù)，具有較高的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在VGS為10V時(shí)為2200毫歐，能夠提供最大4A的漏極電流（ID）。設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用，并具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

### 4N65H-VB TO251 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)      | 值                             |
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| 封裝      | TO251                          |
| 配置      | 單N溝道                        |
| 漏極電壓 (VDS) | 650V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V                          |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V                           |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2200mΩ                        |
| 漏極電流 (ID) | 4A                             |
| 技術(shù)      | Plannar                        |

### 4N65H-VB TO251 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電動(dòng)汽車充電設(shè)備**：在電動(dòng)汽車的充電樁中，用于功率開關(guān)和電流控制模塊，提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的充電電流。
2. **工業(yè)電源**：適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高壓電源管理系統(tǒng)，確保穩(wěn)定和可靠的電力供應(yīng)。
3. **太陽(yáng)能逆變器**：用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器模塊，實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和最大化能量輸出。
4. **電力傳輸和配電**：在電力傳輸和配電系統(tǒng)中，用于功率開關(guān)和電流控制，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

#### 模塊舉例
1. **電動(dòng)汽車充電樁**：4N65H-VB 可用于電動(dòng)汽車充電樁的功率開關(guān)和控制模塊，實(shí)現(xiàn)高效的電池充電和管理。
2. **高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**：適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備中的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換模塊，提供可靠的電力轉(zhuǎn)換和管理。
3. **功率開關(guān)模塊**：在各種功率開關(guān)系統(tǒng)中，提供穩(wěn)定的開關(guān)和高效的能量轉(zhuǎn)換，適用于電力電子設(shè)備和電力傳輸系統(tǒng)。

通過(guò)其高電壓額定值和穩(wěn)定的性能，4N65H-VB TO251 MOSFET 是適用于多種高壓和功率應(yīng)用的理想選擇，能夠滿足復(fù)雜電力電子系統(tǒng)的需求，提供可靠的電力管理和控制。