### 產品簡介

**型號：4N65Z-VB**

**封裝：TO220F**

**配置：單N溝道**

4N65Z-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用平面技術制造，專為在高電壓環境下提供穩定的電能控制和轉換而設計。該器件具有優良的性能特性，適用于多種需要高電壓和中等電流處理的應用場景。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：30V（±）
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：4A
- **技術類型**：平面（Plannar）

### 應用領域和模塊

4N65Z-VB MOSFET適用于多種需要高壓和中等電流處理的應用場景：

1. **電源管理**：
  - **開關電源 (SMPS)**：用于電視機、顯示器等電源模塊中，提供穩定的高壓輸出。
  - **電源適配器**：在筆記本電腦、服務器等設備的電源管理中，保證電能轉換的高效和穩定性。

2. **照明控制**：
  - **室內和室外照明**：在城市照明、道路照明等項目中，用于LED驅動電路中控制電流和功率因素。

3. **工業自動化**：
  - **工業電機驅動**：在工業設備中控制電機啟停和轉速，提高生產線的效率和精確度。
  - **高壓電源模塊**：用于PLC控制系統中的電源模塊，保證設備穩定運行和數據準確性。

4. **電動車輛充電**：
  - **電動汽車充電樁**：作為充電樁中電力轉換和電池管理的關鍵組件，確保安全和高效的充電過程。

4N65Z-VB MOSFET通過其高壓能力和適中的電流特性，能夠滿足上述多種應用場景對于高效電能控制和轉換的需求，是電力電子領域中的重要選擇。