--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 4STS8816-VB 產品簡介
4STS8816-VB 是一款雙 N+N-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用 SOT23-6 封裝。它具有低漏極-源極電壓(20V)和中等電流處理能力,適合于小功率應用場合。
### 4STS8816-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**: SOT23-6
- **配置**: 雙 N+N-溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
#### 電源管理與轉換
由于其低漏極-源極電壓和中等電流處理能力,4STS8816-VB 可以用于小功率電源管理和轉換電路中,如移動設備的電源管理、DC-DC 變換器和充電電路中的開關控制。
#### 電池保護和充放電管理
在需要保護和管理電池的電路中,4STS8816-VB 可以作為充放電開關元件。它能夠有效控制電池的充放電過程,保護電池免受過電流和過壓的損害。
#### 小型電子設備和傳感器控制
在小型電子設備和傳感器控制電路中,需要高效的電路開關和控制元件。4STS8816-VB 的小封裝和適中的性能特點使其成為這些應用的理想選擇,如便攜式設備、傳感器接口電路等。
#### 模擬信號開關和調節
在需要對模擬信號進行開關和調節的應用中,如音頻信號處理、模擬傳感器信號處理等,4STS8816-VB 可以提供穩定的開關特性和低電壓降,確保信號的清晰和準確性。
通過以上示例,可以看出 4STS8816-VB 是一款適用于小功率電子設備和控制電路的 MOSFET,特別適合要求低電壓、中等電流處理能力的各種電源管理、電池保護和小型控制應用。
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