### 產品簡介
50CN10N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO262封裝。它采用Trench技術設計，具有100V的漏源電壓能力和低導通電阻，適合高電壓負載開關和電源控制應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO262
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS = 4.5V, 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
50CN10N-VB適用于以下幾個主要領域和模塊：
1. **電源開關和逆變器**:
由于其高漏源電壓和低導通電阻特性，50CN10N-VB適合用于高電壓負載開關和電源控制應用。例如，可以應用于大功率DC-DC轉換器、電動汽車充電樁、UPS電源系統等，確保在高電壓條件下的高效能量轉換和穩定性能。
2. **工業電子**:
在工業控制系統中，如工業電機驅動、自動化控制和電源分配模塊中，50CN10N-VB可以作為電流控制和電源管理的關鍵部件，提供可靠的電源開關和調節功能。
3. **電動工具和家電**:
在需要處理高功率負載的電動工具、家電產品（如電熱水壺、電磁爐等）中，50CN10N-VB能夠有效地管理電源開關和電流控制，提高設備的效率和安全性。
4. **汽車電子**:
在車載電子系統中，如電動汽車的動力電池管理系統、電動汽車充電樁和動力逆變器中，50CN10N-VB可用于電源開關和電動機驅動控制，確保車輛電子系統的高效和可靠性。
綜上所述，50CN10N-VB TO262 MOSFET以其高漏源電壓和低導通電阻，在多種高電壓負載開關和電源控制應用中提供了可靠的解決方案，適用于工業、汽車和消費電子領域的多種應用場景。
