--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(3X2)-B
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:510J-VB**
**封裝:DFN8(3X2)-B**
**配置:單P溝道**
510J-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝為DFN8(3X2)-B,適用于需要小尺寸和高效能量控制的電子設備。該器件具有低導通電阻和適中的電流承載能力。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:DFN8(3X2)-B
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:-20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:8V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:-0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:125mΩ @ VGS=4.5V, 90mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-4A
- **技術類型**:Trench
### 應用領域和模塊
510J-VB MOSFET適用于多種需要小尺寸和高效能量轉換的電子應用,特別是:
1. **移動設備**:
- **智能手機和平板電腦**:用作電池管理和充放電控制,確保高效的電能轉換和節能管理。
2. **消費電子**:
- **便攜式電子產品**:如手持游戲機、便攜式音響等,在有限空間內提供穩定的電力輸出和電池管理。
3. **電動工具**:
- **便攜式電動工具**:如電動扳手、電動鉆等,需要小尺寸的電力控制器,提供高效的動力驅動。
4. **汽車電子**:
- **車載電子系統**:在汽車電子設備中,用于小型驅動電路和電池管理系統,提供高效的能量轉換和保護功能。
510J-VB MOSFET因其小尺寸、高性能和適中的電流承載能力,在現代電子產品和便攜式設備中有著廣泛的應用,能夠提供穩定的電力控制和高效的能量轉換。
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