### 產品簡介
5426N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。它采用Trench技術設計，具有60V的漏源電壓能力和低導通電阻，適合高功率負載開關和電源控制應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 12mΩ @ VGS = 4.5V, 3.2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
5426N-VB適用于以下幾個主要領域和模塊：
1. **電源開關和逆變器**:
由于其高漏源電壓和低導通電阻特性，5426N-VB適合用于高功率負載開關和電源控制應用。例如，可以應用于電機驅動、逆變器、電源模塊等場合，提供可靠的功率轉換和電流控制。
2. **電動車電池管理**:
在電動車電池管理系統中，5426N-VB可以作為電池管理單元的關鍵組件，用于控制電池充放電過程中的電流和電壓，確保電池的安全性和性能穩定性。
3. **工業電子**:
在工業自動化設備、電動工具和高功率LED驅動器中，5426N-VB可以實現高效的電源管理和負載控制，提高設備的運行效率和能源利用率。
4. **電源適配器**:
在筆記本電腦、平板電腦等電子設備的電源適配器中，5426N-VB能夠有效地控制電源輸出和穩定電流，提供穩定的電能轉換功能，保護設備免受電力波動的影響。
綜上所述，5426N-VB TO263 MOSFET以其高功率處理能力和優越的電氣特性，在電動車電池管理、工業電子控制、電源適配器等多種高功率應用中，提供了可靠和高效的解決方案，滿足各種電力管理和控制需求。
