### 55NM60ND-VB 產品簡介

55NM60ND-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO247 封裝，具備高電壓承受能力和低導通電阻特性。該器件適用于需要高功率和高效能的應用場合。

### 55NM60ND-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO247
- **器件配置**：單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：75mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：47A
- **技術特點**：SJ_Multi-EPI（多重環氧樹脂封裝技術）

### 應用領域和模塊示例

55NM60ND-VB 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用，以下是幾個示例：

1. **工業電源**：適用于工業電源系統中的開關電源、逆變器和電源因特爾設計（PID），能夠提供穩定的功率輸出和高效的能量轉換。

2. **電動車充電樁**：在電動汽車充電樁中，55NM60ND-VB 可以用作電源開關和電流控制器，支持高壓輸入和快速充電功能，提升充電效率和安全性。

3. **太陽能逆變器**：用于太陽能發電系統中的逆變器，將太陽能板產生的直流電轉換為交流電，具備高效率和穩定的電力轉換能力。

4. **電力電子**：在需要處理大電流和高壓的電力電子設備中，如高壓電源開關和電動機驅動器，確保系統的高效能和長壽命運行。

5. **醫療設備**：用于醫療成像設備和激光器控制系統中的功率管理和電源開關，保證設備的穩定運行和精確控制。

綜上所述，55NM60ND-VB TO247 MOSFET 由于其高電壓承受能力、低導通電阻和穩定性能，在工業電源、電動車充電樁、太陽能逆變器等多個領域中有著重要的應用價值。