--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 5802NG-VB 產品簡介
5802NG-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用 TO252 封裝。它具有低漏極-源極電壓(40V)和高電流處理能力,適合于要求高性能和低導通電阻的應用場合。
### 5802NG-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
#### 電動工具和電動車輛
5802NG-VB 在電動工具和電動車輛的電動驅動系統中可以作為電機控制和電流開關使用。其低導通電阻和高電流承載能力可以確保電動機的高效能運行和系統的穩定性。
#### 電源管理和功率放大器
在需要高效率功率管理和穩定電源分配的應用中,如功率放大器、電源逆變器和電源模塊中,5802NG-VB 可以提供可靠的電流開關和低功率損耗,確保設備的高性能和長期穩定運行。
#### 工業控制和自動化設備
在工業控制系統、自動化生產線和機器人應用中,5802NG-VB 可以用作關鍵的功率開關元件,實現精確的電流調節和高效的能源管理,從而提升設備的生產效率和節能效果。
通過以上示例,可以看出 5802NG-VB 在要求高功率密度、高效能量轉換和穩定性能的各種應用場合中具有廣泛的應用前景。
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