### 一、產品簡介
**5806NG-VB TO251**
5806NG-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO251封裝。它具有漏源極電壓（VDS）為40V的特性，適用于中低壓電路設計。采用Trench技術制造，具備較低的導通電阻和適中的電流承載能力。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：TO251
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：40V
- **柵源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：14mΩ @ VGS = 4.5V, 13mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流（ID）**：55A
- **技術**：Trench
### 三、應用領域和模塊舉例
**5806NG-VB TO251** MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是幾個具體的示例：
1. **電源管理**：在低壓直流-直流（DC-DC）轉換器中，用于筆記本電腦、平板電腦和其他便攜設備的電源管理，確保高效能和長電池壽命。
2. **電動工具**：作為電動工具（如電鉆、電錘等）中的電源開關，確保高功率輸出和工作效率。
3. **消費電子**：在家庭電子設備（如游戲機、音響系統）中的功率開關，提供穩定的電源和高效的能量轉換。
4. **車載電子**：用于汽車電子系統中的12V電池管理、車載充電器和車載燈具等功率控制應用。
綜上所述，**5806NG-VB TO251** MOSFET因其中低壓能力、低導通電阻和高電流承載能力，適合于各種電源管理和功率控制應用的設計和實施。
