### 產品簡介

**型號：5HP02M-VB**

5HP02M-VB是一款單P溝道功率MOSFET，采用SC70-3封裝。它具有負漏極-源極電壓能力和適合低功率應用的特性。

### 詳細參數說明

- **封裝類型（Package）**：SC70-3
- **配置（Configuration）**：單P溝道（Single-P-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**：-60V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：-1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 5000mΩ @ VGS=4.5V
 - 4000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：-0.135A （負值表示漏極到源極的電流）
- **技術（Technology）**：Trench

### 應用領域和模塊示例

5HP02M-VB適用于多種低功率應用，以下是一些典型的應用示例：

1. **移動設備（Mobile Devices）**：
  - 在手機、平板電腦和便攜式電子設備中，用作低功耗開關和電源管理器件，以延長電池壽命并提高能效。

2. **電池保護（Battery Protection）**：
  - 在充電電路和電池管理系統中，用于保護電池免受過電流和短路的損害，確保電池安全和長壽命。

3. **信號開關（Signal Switching）**：
  - 在低頻信號處理和信號開關電路中，用作信號路由和開關控制器，保持信號傳輸的清晰和可靠性。

4. **傳感器接口（Sensor Interface）**：
  - 在傳感器接口電路中，作為傳感器信號處理和放大的前端電路，確保傳感器數據的準確采集和處理。

5. **便攜式電子設備（Portable Electronics）**：
  - 在便攜式音頻設備、電子玩具和智能穿戴設備中，用于功率開關和低功耗模式控制，優化設備的能效和性能。

5HP02M-VB的設計和特性使其成為低功率應用中的理想選擇，能夠提供可靠的性能和高效的能源管理解決方案。