--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 產(chǎn)品簡介
5LN01C-TB-E-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SOT23-3封裝。該器件適用于低功率應(yīng)用,具有60V的漏極-源極電壓(VDS),柵極電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。采用Trench技術(shù),盡管導(dǎo)通電阻(RDS(ON))較高,分別為3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V,但能提供最大0.3A的漏極電流(ID),適合于需要低功耗和小電流驅(qū)動(dòng)的場合。
### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝 | SOT23-3 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 60V |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3100mΩ |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 0.3A |
| 技術(shù) | Trench |
### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **低功耗電子設(shè)備**:如便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)和平板電腦中的電源管理和電池保護(hù)。
2. **傳感器接口**:用于傳感器信號(hào)放大和接口電路,確保低噪聲和穩(wěn)定的傳感器操作。
3. **電源開關(guān)**:在低電流負(fù)載和小型電源開關(guān)電路中,提供基本的開關(guān)功能和電流控制。
#### 模塊舉例
1. **便攜式電子模塊**:適用于各種便攜式電子產(chǎn)品中的小功率開關(guān)電路,如手持設(shè)備的電池管理和充放電控制。
2. **傳感器接口模塊**:用于連接和驅(qū)動(dòng)各種傳感器的接口電路,保證穩(wěn)定的傳感器工作并最大程度地減少功耗。
5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 由于其小尺寸、低功耗和適中的電流能力,是許多需要小型化和低功耗設(shè)計(jì)的電子設(shè)備和模塊的理想選擇。
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