### 產品簡介

**型號：5N60M2-VB**

5N60M2-VB 是一款高效能的單N溝道功率MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術，具備卓越的電氣性能和可靠性。此款MOSFET具有較高的擊穿電壓和較低的導通電阻，適用于各種高壓應用場合。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：5A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

5N60M2-VB 由于其高擊穿電壓和低導通電阻，廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：在開關電源（SMPS）和直流-直流轉換器（DC-DC Converter）中，5N60M2-VB 可以有效降低功耗并提高轉換效率。
2. **工業控制**：用于電機驅動和工業自動化設備中，該MOSFET可提供可靠的電源控制和高效的能量傳遞。
3. **家用電器**：在空調、冰箱和洗衣機等家用電器中，5N60M2-VB 可以用于逆變器和電源模塊，提升設備的能效比和使用壽命。
4. **照明設備**：在LED驅動和HID燈電子鎮流器中，該MOSFET的高耐壓和低損耗特性可以提供更高的能效和可靠性。
5. **新能源領域**：在太陽能和風能發電系統中，5N60M2-VB 可用于逆變器和轉換器，提高系統的發電效率和穩定性。

這種多功能、高性能的MOSFET使得5N60M2-VB成為各類高壓應用的不二之選，廣泛適用于要求高可靠性和高效率的場合。