### 5N80G-TA3-T-VB MOSFET 產品簡介

5N80G-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝。它由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高電壓和高電流承載能力，適用于各種要求高效能和可靠性的電力電子應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 5N80G-TA3-T-VB
- **封裝**: TO-220
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 800V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

1. **電源供應**: 5N80G-TA3-T-VB適用于高壓直流電源和開關模式電源（SMPS）。其能夠處理高電壓和大電流，為各種工業和消費電子設備提供穩定的電能轉換。

2. **工業自動化**: 在工業控制系統中，特別是需要高電壓控制和電機驅動的應用中，這款MOSFET能夠提供可靠的功率開關和高效能轉換，如電機驅動、逆變器等。

3. **電動車充電器**: 作為電動車充電器的關鍵部件，5N80G-TA3-T-VB可以有效地控制充電電流和電壓，確保充電效率和安全性。

4. **照明系統**: 在高壓LED驅動電路中，該MOSFET能夠提供穩定的電源驅動，幫助提高LED照明系統的能效和可靠性。

5. **太陽能逆變器**: 用于太陽能光伏逆變器中，5N80G-TA3-T-VB可以有效地管理并轉換太陽能電池板產生的直流電能，輸出交流電能到電網或用于獨立供電系統。

綜上所述，5N80G-TA3-T-VB MOSFET以其高電壓承受能力和優秀的導通特性，在多種電力電子和工業應用中具有廣泛的應用前景，是設計高性能電源和控制系統的理想選擇。