--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 61YW-VB MOSFET 產品簡介
61YW-VB是一款雙N+N溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。由VBsemi采用Trench技術制造,具有低導通電阻和適中的電流承載能力,適用于低功率和中功率應用場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: 61YW-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 雙N+N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊實例
1. **移動設備**: 在智能手機、平板電腦和便攜式電子設備中,61YW-VB可用于電池管理和電源管理電路,實現高效能的電能轉換和節能控制。
2. **消費電子**: 在低功率電子產品中的電源管理和電池控制電路中,如智能家居設備、智能穿戴設備和便攜式音頻設備,提供穩定的電源供應和高效的電能利用。
3. **電動工具和小型電機**: 適用于小型電動工具和家用電器中的電機控制系統,如電動剃須刀、吸塵器和電動工具,提供高效的電機驅動和控制。
4. **醫療設備**: 在便攜式醫療設備和健康監測器材中,如便攜式血壓計和血糖監測器,用于電源管理和低功率控制電路。
5. **工業傳感器**: 在需要高效能傳感器和信號處理器件的工業控制系統中,如溫度傳感器和壓力傳感器的信號放大和控制電路中,提供穩定的電流和功率管理。
綜上所述,61YW-VB MOSFET以其適中的電流承載能力、低導通電阻和適應低功率到中功率應用的特性,是設計需要穩定和高效能電源管理的電子系統的理想選擇。
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