### 產品簡介

**型號：** 638Z-VB  
**封裝：** SOT23-6  
**配置：** 單P溝道  
**VDS：** -30V  
**VGS：** 20（±V）  
**Vth：** -1.7V  
**RDS(ON)：** 
- 54mΩ @ VGS=4.5V  
- 49mΩ @ VGS=10V  
**ID：** -4.8A  
**技術：** Trench

638Z-VB是一款單P溝道MOSFET，采用SOT23-6小封裝，適用于低功率電路和便攜式設備。其特點包括-30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），以及-1.7V的門限電壓（Vth）。具有優異的導通特性，RDS(ON)在不同工作條件下分別為54mΩ（在VGS=4.5V時）和49mΩ（在VGS=10V時），并且支持最大漏極電流（ID）達到-4.8A。采用Trench技術，保證了高效能量轉換和穩定的性能表現。

### 詳細參數說明

| 參數                | 數值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 638Z-VB   |
| 封裝                | SOT23-6   |
| 配置                | 單P溝道    |
| 漏極-源極電壓（VDS） | -30V      |
| 柵極-源極電壓（VGS） | 20（±V）  |
| 門限電壓（Vth）      | -1.7V     |
| 導通電阻（RDS(ON)）  | 54mΩ @ VGS=4.5V, 49mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流（ID）   | -4.8A     |
| 技術                | Trench    |

### 應用領域與模塊舉例

1. **便攜式電子設備（Portable Electronics）：**
  638Z-VB適用于便攜式設備中的電源管理和信號開關電路，如智能手機、平板電腦、便攜式音頻設備等。其小封裝和低功耗特性使其能夠有效延長電池壽命和提升設備運行效率。

2. **低功率電源（Low-Power Power Supplies）：**
  在需要高效能量轉換和緊湊設計的低功率電源中，638Z-VB可以用作電源開關和DC-DC轉換器的關鍵部件，以實現高效的能量轉換和穩定的電源輸出。

3. **信號開關（Signal Switching）：**
  在各種電子設備的信號開關電路中，這款MOSFET可以作為信號路由和開關控制器，確保信號傳輸的高速和穩定性。

通過以上示例，638Z-VB展示了其在便攜式電子設備、低功率電源和信號開關等多個領域中的廣泛應用，為電路設計提供了高性能和可靠性保障。