### 產品簡介

**型號：65C6099-VB**

65C6099-VB 是一款高壓單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具備優秀的高壓承受能力和穩定的電性能特征。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO247
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：700V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

65C6099-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **工業電源和逆變器**：在高壓直流-交流逆變器和工業電源系統中，65C6099-VB 用于功率開關和能量轉換，確保穩定和高效的能量傳輸。

2. **電動車充電樁**：作為電動車輛充電設備中的關鍵組件，支持高壓直流充電技術，實現快速充電和能量轉換效率。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能發電系統的逆變器中，65C6099-VB 可以提供高效的太陽能能量轉換和電網接入功能。

4. **電力傳輸設備**：用于電力逆變器和高壓輸電設備中，支持電力開關和穩定的能量轉換，確保電力傳輸系統的高效率和可靠性。

5. **醫療設備**：應用于高壓醫療設備如X射線機和核磁共振設備的電力管理和功率控制模塊，確保設備的安全運行和高性能。

65C6099-VB 的設計使其適用于對高壓和高功率密度要求嚴格的工業和能源應用中，是提升系統效率和可靠性的關鍵元件之一。