### 產(chǎn)品簡介

**65C6190-VB TO247** 是一款單通道N溝道MOSFET，采用TO247封裝，具備高性能和可靠性。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于要求高功率和高效率的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO247
- **配置**：單通道N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**65C6190-VB TO247** MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊，主要包括以下幾個(gè)方面：

1. **工業(yè)電源**：
  - 在工業(yè)設(shè)備和機(jī)械中作為主要的功率開關(guān)元件，支持高壓和高功率的電源管理，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能利用。

2. **電動(dòng)車輛**：
  - 在電動(dòng)汽車和電動(dòng)卡車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，作為逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵部件，支持高效能的能源轉(zhuǎn)換和高功率的驅(qū)動(dòng)需求。

3. **電力電子**：
  - 在電力轉(zhuǎn)換和變換器系統(tǒng)中，用于電壓和電流的控制，實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換和電力分配。

4. **醫(yī)療設(shè)備**：
  - 在醫(yī)療成像設(shè)備和高頻電療設(shè)備中，作為功率放大器和電源管理單元的重要組成部分，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。

5. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**：
  - 在基站設(shè)備和通信網(wǎng)絡(luò)中的電源管理和功率放大器模塊中，支持設(shè)備的長時(shí)間運(yùn)行和穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。

通過以上應(yīng)用實(shí)例，可以看出**65C6190-VB TO247** MOSFET適用于多種要求高電壓、高功率和高效率的應(yīng)用場合，為各種電子和電氣設(shè)備提供可靠的功率開關(guān)解決方案。