### 1. 產品簡介

65C6190-VB 是一款單N溝道場效應晶體管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適合中壓應用場合中的功率開關和電源管理。

### 2. 詳細參數說明

- **型號**: 65C6190-VB
- **封裝**: TO263
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 700V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **門閾電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))**:
 - 210mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 3. 應用示例

65C6190-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

- **工業電源**: 在工業電源設備中，如電力傳輸系統、電力變換器和高壓電源系統中，65C6190-VB 可以作為功率開關器件，幫助實現高效的電能轉換和電流控制。

- **電動車充電器**: 在電動車充電器和電池管理系統中，65C6190-VB 可以用作開關和電流控制裝置，確保充電過程的安全性和高效率。

- **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器和其他可再生能源系統中，65C6190-VB 可以幫助提高系統的能效和穩定性，確保電能的高效轉換和管理。

這些示例展示了65C6190-VB 在中壓、高電壓環境中的優越性能和廣泛適用性，是工程師在設計需要可靠、高效能電子控制系統時的理想選擇。