--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
65C6600-VB 是一款單N溝道場效應晶體管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI技術制造,具有高漏極-源極電壓和適中的導通電阻,適用于中壓應用中的功率開關和電源管理。
### 2. 詳細參數說明
- **型號**: 65C6600-VB
- **封裝**: TO252
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 700V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±30V
- **門閾電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 600mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 10A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 3. 應用示例
65C6600-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊:
- **電源轉換器**: 在中壓電源轉換器和穩壓器中,65C6600-VB 可以作為功率開關器件,幫助實現高效的電能轉換和穩定的電流控制。
- **工業控制**: 在工業自動化設備和機器人系統中,作為電機驅動和電源管理的關鍵組件,確保系統的高效運行和精確控制。
- **電動車充電器**: 在電動車充電器和電池管理系統中,65C6600-VB 可以用作開關和電流控制裝置,確保充電過程的高效率和安全性。
這些示例展示了65C6600-VB 在中壓應用中的優越性能和廣泛適用性,是工程師在設計需要穩定、高效能電子控制系統時的理想選擇。
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