### 產品簡介

**型號：65E6280-VB**

65E6280-VB 是一款單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有優異的電氣特性和可靠性。該型號適用于需要高電壓和高電流承載能力的應用場景，廣泛應用于工業、汽車、太陽能等領域。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：700V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

65E6280-VB MOSFET 適用于多種高壓和高功率應用，具體包括：

1. **工業電源和逆變器**：在工業電源系統和高壓直流-交流逆變器中，65E6280-VB 能夠提供高效的電能轉換和穩定的電力輸出，適用于工業自動化設備、無縫電源切換和大功率設備驅動。

2. **電動汽車充電設備**：該MOSFET在電動汽車的高壓充電樁中發揮關鍵作用，支持快速充電和高效能量轉換，確保電動汽車的充電安全和快速性。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能發電系統中，65E6280-VB 可用于逆變器模塊，實現太陽能能量的高效轉換，提升太陽能系統的整體效率和電網接入穩定性。

4. **電力傳輸設備**：該MOSFET適用于高壓輸電系統和電力逆變器中，提供可靠的功率開關和能量轉換功能，確保電力傳輸的高效和穩定。

5. **醫療設備**：應用于高壓醫療設備如X射線機和核磁共振設備的電力管理和功率控制模塊，保障設備的安全運行和高性能，提升醫療診斷設備的可靠性。

65E6280-VB 的設計和技術特點，使其成為高壓、高功率應用的理想選擇，可以顯著提升系統效率和可靠性。