--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**65F6130-VB** 是一款高壓單N溝道功率MOSFET,采用TO247封裝。該器件利用SJ_Multi-EPI技術,具有優異的導通特性和高電壓承受能力,適用于要求高效能和可靠性的功率控制和開關應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: 65F6130-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 700V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
**65F6130-VB** 可廣泛應用于以下領域和模塊:
1. **工業電源**:
- 適用于工業電力轉換器、變頻器以及其他需要高電壓和高功率密度的電源系統。其低導通電阻和高電壓承受能力確保了高效能量轉換和系統可靠性。
2. **電動車充電器**:
- 作為電動汽車充電器的功率開關器件,能夠管理和控制充電過程,提供高效、安全和穩定的電能轉換,支持快速充電需求。
3. **工業自動化**:
- 在自動化控制系統中,65F6130-VB可用于驅動電機和執行器,支持精確和高效的運動控制,適用于各種工廠自動化設備和機械。
4. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能發電系統的逆變器中,提供高效的電能轉換,幫助最大化太陽能電池板的能量輸出,適用于戶外太陽能發電站和家庭光伏系統。
5. **醫療設備**:
- 用于高性能醫療設備的電源和控制系統,如磁共振成像(MRI)設備和CT掃描儀,確保設備的穩定運行和高質量的醫療成像。
通過這些應用示例,可以看出65F6130-VB在多個關鍵領域中的重要作用,為工程師和設計者提供了強大的功率解決方案,支持各種要求嚴格的應用場景。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N