### 1. 產(chǎn)品簡介
6N50G-TA3-T-VB 是一款單N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），采用Plannar技術(shù)制造，具有高電壓耐受能力和適合中功率應(yīng)用的特點。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 6N50G-TA3-T-VB
- **封裝**: TO220
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 600V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **門閾電壓（Vth）**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 8A
- **技術(shù)**: Plannar
### 3. 應(yīng)用示例
6N50G-TA3-T-VB 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊中：
- **電源供應(yīng)**: 在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中，6N50G-TA3-T-VB 可以用作主要的功率開關(guān)管，支持高壓和中功率的電能轉(zhuǎn)換，例如工業(yè)電源和通信設(shè)備的電源模塊。
- **電動車輛充電樁**: 作為電動車充電樁中的開關(guān)管，6N50G-TA3-T-VB 能夠處理高壓輸入和輸出，確保充電過程中的高效能轉(zhuǎn)換和電路穩(wěn)定性。
- **工業(yè)自動化**: 在需要高電壓和中等電流的自動化控制系統(tǒng)中，6N50G-TA3-T-VB 可以用于電機(jī)驅(qū)動和電源開關(guān)，提供可靠的電力控制和電路保護(hù)功能。
6N50G-TA3-T-VB 的Plannar技術(shù)設(shè)計使其在高壓環(huán)境下具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱穩(wěn)定性，適合要求高效能和長期可靠性的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用場合。
