### 1. 產品簡介

6N60-VB 是一款單N溝道場效應晶體管（MOSFET），采用Plannar技術制造，具有高壓耐受能力和適合低功率應用的特點。

### 2. 詳細參數說明

- **型號**: 6N60-VB
- **封裝**: TO220F
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **門閾電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 7A
- **技術**: Plannar

### 3. 應用示例

6N60-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊中：

- **電源管理**: 在低功率開關電源中，例如適配器、電源適配模塊和開關電源，6N60-VB 可以作為功率開關管，實現高效的電能轉換和穩定的電路控制。

- **照明系統**: 作為LED驅動器中的功率開關管，幫助管理和調節LED照明系統的亮度和功耗，確保照明效果的穩定和節能性。

- **電動工具**: 在各類電動工具的電機控制中，6N60-VB 可以作為電機驅動器的開關管，支持高壓和低功率的電力轉換，提供可靠的動力輸出和高效能效果。

6N60-VB 的Plannar技術設計使其具有較低的導通電阻和優秀的熱特性，適合要求高效能和穩定性的低功率應用場合。