--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
6R075P-VB 是一款高性能的 N-溝道 MOSFET,封裝形式為 TO247。采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有高擊穿電壓和極低導通電阻的特點,適用于需要高功率密度和高效能轉換的應用。
### 產品參數
- **封裝類型**: TO247
- **配置**: 單 N-溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: 30V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**:6R075P-VB 可用于太陽能和風能逆變器中,將直流能源轉換為交流電以供電網使用。其低導通電阻和高漏極電流能力確保了逆變器的高效能和可靠性。
2. **工業高頻電源**:在工業高頻電源設備中,該 MOSFET 可用于高頻開關電源模塊,如電熔焊設備、高頻感應加熱設備等,以提高能源轉換效率和系統響應速度。
3. **電動汽車驅動**:適用于電動汽車中的電機驅動系統,6R075P-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其成為電動汽車驅動系統中的理想選擇,提升車輛的動力性能和能效。
4. **工業電源供應**:在工業自動化和機械設備中,該 MOSFET 可用于電源供應和電機控制,保證設備的穩定運行和高效能轉換。
5. **消費電子產品**:適用于需要高性能電源管理的消費電子產品,如高清電視、音響系統和家用電器,提升產品的功率密度和使用效率。
6. **醫療設備**:應用于醫療成像設備和其他高性能醫療設備的電源管理模塊,確保設備的安全性和穩定性。
通過以上應用示例,可以看出 6R075P-VB 具有廣泛的應用領域,能夠滿足多種需要高功率密度和高效率轉換的應用需求。
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