### 1. 產品簡介

6R380E6-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO220F 封裝。它具有高達650V的漏極-源極電壓（VDS），適合中高壓應用。此產品采用了 Plannar 技術，結合了可靠性和性能。

### 2. 參數說明

- **封裝類型：** TO220F
- **通道類型：** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
 - 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 20A
- **技術：** Plannar

### 3. 應用示例

6R380E6-VB 適用于多種領域和模塊，以下是一些示例：

- **電源供應器：** 在需要中等到高電壓和電流的電源供應器中，6R380E6-VB 的高電壓額定和適中的導通電阻使其能夠提供高效率和穩定性。

- **電動車充電器：** 在電動車充電器中，需要處理高電壓直流和中等電流的 MOSFET 可以使用 6R380E6-VB，其性能和可靠性能夠支持快速充電和長期使用。

- **工業控制系統：** 在工業控制系統中，需要處理各種電力需求的場合，6R380E6-VB 的特性使其成為控制和驅動電路的理想選擇。

這些示例展示了 6R380E6-VB 在處理中等到高電壓和電流的應用時的優越性能和廣泛適用性，通過其 Plannar 技術和優秀的電氣特性，支持了多個領域的工業和商業應用需求。